10月20日讯，SK海力士（SK hynix ）今日宣布将以90亿美元的价格收购英特尔的NAND存储器和存储业务，其中包括NAND SSD业务、NAND组件和晶圆业务及在中国大连的NAND存储器制造厂；双方预计于2021年下半年获得的必要政府批准。
SK海力士和英特尔今日宣布，双方已于10月20日签署了一项协议，根据该协议，SK海力士将以90亿美元的价格收购英特尔的NAND存储器和存储业务。该交易包括NAND SSD业务，NAND组件和晶圆业务及中国大连NAND存储器制造厂。不过，英特尔将保留其独特的英特尔Optane（傲腾）业务；英特尔亦打算将交易收益投资于长期增长优先事项，包括人工智能、5G网络和智能、自主优势。
SK海力士和英特尔将努力于2021年下半年获得的必要政府批准。在收到这些批准后，SK海力士将从英特尔收购NAND SSD业务（包括与NAND SSD相关的IP和员工）及大连工厂，首付款为70亿美元。SK海力士将向英特尔收购剩余资产，包括与NAND闪存晶片的制造和设计相关的IP，研发人员及大连工厂的员工，最终交易将于2025年3月完成，剩余款项为20亿美元。根据协议，英特尔将继续在大连存储器制造厂制造NAND晶片，并保留与NAND闪存晶片的制造和设计有关的所有IP，直到最终关闭。作为半导体行业的全球领导者，英特尔拥有业界领先的NAND SSD技术和四级单元（QLC）NAND闪存产品。截至2020年6月27日的前六个月，NAND业务占英特尔非易失性存储器解决方案集团（NSG）收入的约28亿美元，为NSG营业收入贡献了约6亿美元。
SK海力士并指出，此次收购旨在增强其存储解决方案（包括企业级SSD）在快速增长的NAND闪存空间中的竞争力，并进一步跃升为该行业领先的全球半导体公司之一。SK海力士希望这项交易将使公司能够发展内存生态系统，从而使客户，合作伙伴、员工和股东受益。
SK海力士于2018年开发出全球首个基于电荷陷阱闪存（CTF）的96层4D NAND闪存，并于2019年开发了128层4D NAND闪存。SK海力士将结合英特尔的解决方案技术和制造能力，以建立一个更高附加值的3D NAND解决方案组合，包括企业SSD。英特尔和SK海力士将共同努力，以确保客户、供应商和员工的无缝过渡。两家公司将像最近一样使用DDR5进行合作，以更好地满足基于内存的半导体生态系统不断增长的需求。
SK海力士CEO Seok－Hee Lee表示，很高兴看到领导领导NAND闪存技术创新的SK海力士和英特尔的NAND部门共同努力，共同创造新的未来；通过彼此的优势和技术，SK海力士将积极响应客户的各种需求，并优化业务结构，扩大在NAND闪存市场领域的创新产品组合，这将与SK海力士在DRAM中取得的成就相媲美。
英特尔CEO鲍勃·斯旺（Bob Swan）则表示，为英特尔已建立的NAND存储器业务感到自豪，并相信与SK海力士的这种结合将为客户、合作伙伴和员工的利益而发展存储器生态系统。对于英特尔而言，这笔交易将使英特尔能够进一步优先考虑对差异化技术的投资，进而在客户成功方面发挥更大的作用，并为股东带来丰厚的回报。
